CMP整体解决方案
12寸7区抛光头
本产品适用于14nm及以下制程，支持ILD、STI、OXIDE、W、CU等CMP制程。产品具备关键子系统自主设计与整机洁净制造能力，具备7区独立压力精准控制能力，支持依据客户需求对保持环、吸附膜等关键界面耗材开展面向工艺匹配性的材料定制。目前已在14nm及以下先进制程中实现规模化量产，并获得全球领先存储与逻辑芯片企业在保持环、吸附膜及抛光头组装服务方面的订单。
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CMP清洗刷
CMP清洗刷作为晶圆后清洗的关键耗材，采用高纯度PVA（聚乙烯醇）材料，结合改性开孔发泡工艺与兆声能量协同技术制成。在晶圆后清洗过程中，刷头通过微孔结构的物理刮扫与兆声波的空化效应，高效去除晶圆表面附着的抛光液颗粒、残留化学物等，同时避免二次污染，实现纳米级洁净度的均匀表面处理。
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CMP抛光垫
CMP抛光垫（Polishing Pad）主体材料为多孔聚氨酯，核心功能在于调控抛光液驻留与分布，并通过磨粒介导的材料剥离过程保障面内去除均匀性；其硬度、压缩形变率、润湿性、孔隙率、平均孔径及弹性模量等关键物性参数主导CMP工艺的去除速率、均匀性与缺陷水平。
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PS多晶硅抛光液
专用于多晶硅（Poly-Si）层的化学机械去除，典型应用于逻辑器件栅极结构的平坦化工艺。通过高硅/氧化物选择比、可控去除速率及低表面微划伤特性，保障先进制程对平坦度与缺陷水平的严苛要求。产品已实现原材料的完全国产化。
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宁波润平：86-574-6295 0866
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