CMP抛光液-CMP整体解决方案-上海润平电子材料股份有限公司_致力于为半导体行业提供高性能解决方案

CMP整体解决方案

PS多晶硅抛光液

专用于多晶硅（Poly-Si）层的化学机械去除，典型应用于逻辑器件栅极结构的平坦化工艺。通过高硅/氧化物选择比、可控去除速率及低表面微划伤特性，保障先进制程对平坦度与缺陷水平的严苛要求。产品已实现原材料的完全国产化。

TN钨抛光液

专用于钨插塞（W-Plug）与钨互连线（W Interconnect）的化学机械去除，典型应用于后端互连工艺中钨层的全局平坦化。通过高钨/阻挡层选择比、低凹陷与低侵蚀特性，保障先进制程对线宽均匀性与表面完整性的控制需求。产品已实现原材料的完全国产化。

DI氧化膜抛光液

专用于二氧化硅介质层（SiO₂ dielectric）的化学机械去除，典型应用于浅沟槽隔离（STI）与层间介质（ILD）的平坦化工艺。通过高氧化物/氮化物选择比、优异表面形貌保持能力及低缺陷引入风险，支撑先进制程对介质层轮廓精度与绝缘可靠性的综合要求。产品已实现原材料的完全国产化。

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联系方式

上海润平：中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云淡路33号1号厂房

宁波润平：浙江省余姚市凤山街道兵马司路1608号403室

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